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DMN2230U
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1
1.8
V GS = 2.5V
I D = 1.5A
1.6
V GS = 4.5V
I D = 2.5A
1.4
V GS = 1.8V
0.1
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
1.2
V GS = 1.8V
I D = 1.0A
1
0.8
0.01
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0.1
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0.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
-50
-25
0
25 50
75
100
125
150
1
Fig. 3 On-Resistance vs.
Drain-Source Current & Gate Voltage
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
1,000
f = 1MHz
0.8
0.6
I D = 250μA
C iss
100
0.4
C oss
0.2
0
10
C rss
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18
20
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation with Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Total Capacitance
DMN2230U
Document number: DS31180 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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